蒸发镀膜经过加热蒸发某种物质使其沉淀在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方式对照早由M.法拉 于1857年提出，现代已成为常用镀膜技艺之一。

蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前面。待体系抽至高真空后，加热坩埚使当中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉淀在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决策于蒸发源的蒸发速度和时光(或决策于装料量)，并与源和基片的间隔相关。关于大面积镀膜，常选用转动基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的平均性。从蒸发源到基片的间隔应小于蒸气分子在残余气体中的平均自在程，免得蒸气分子与残气分子碰撞导致化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。

蒸发源有三品种型。①电阻加热源：用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质)电阻加热源重点用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等原料;②高频感觉加热源：用高频感觉电流加热坩埚和蒸发物质;③电子束加热源：实用于蒸发温度较高(不低于2000[618-1])的原料，即用电子束轰击原料使其蒸发。

蒸发镀膜与其余真空镀膜方式相比，拥有较高的沉淀速度，可镀制单质和不容易热分解的化合物膜。